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    3月25日，由瑞波光电牵头负担的国度重点研发规划 新型显示与战略性电子质料 重点专项 高功率密度905nm多结半导体激光芯片 项目启动暨实行方案论证会于华南理工年夜学顺遂召开。

集会约请到广东省科技厅产学研联合处刘志辉副处长、广州市科技局孟徽副局长，项目专家组华南师范年夜学/华南理工年夜学杨中平易近传授、中国科学院年夜学樊仲维传授、清华年夜学柳强传授、西南技能物理研究所余丽波研究员、杭州光学周详机械研究所张晶研究员、中国科学院物理研究所魏志义研究员、 华东师范年夜学曾经及平传授、中国科学技能年夜学姜海峰研究员、中国科学院半导体研究所林学春研究员、东北师范年夜学王鹏飞传授、山西年夜学郑耀辉传授、华南师范年夜学周桂耀传授，以和项目主干约30人到场了本次集会。

项目卖力人胡海博士从项目配景、研究内容、实行方案、预期方针等方面举行了周全报告请示，具体论述经由过程 外延设计-芯片-器件-验证 全链条协同立异，冲破波长不变量产工艺难点，杂散光难题等技能瓶颈，研制功率年夜在120W、高功率密度、波长不变、高光束质量的905nm 半导体激光芯片, 为新型激光雷达及测距传感到用提供焦点器件。

专家组当真听取项目卖力人报告请示、审视实行方案，并举行质询会商后，一致认为项目以立异的多地道结技能实现器件机能的优化、新奇的光束限定布局的技能线路具备显著前瞻性、波长不变技能晋升了测距能力降低了功耗，并建议项目组于实行历程中成立技能指标动态优化机制与协同立异机制，强化多个运用场景落地，助力项目高效完成。胡海代表项目组暗示将周全落实专家组建议，成立完美的项目治理与协调机制，把控细节，确保阶段与整体方针的准期完成。

高功率密度905nm多结半导体激光芯片 项目在2024年12月立项，由深圳瑞波光电子有限公司负担。 新型显示与战略性电子质料 重点专项重点撑持相干主要科学前沿或者我国科学家取患上原创冲破，运用远景明确，有望产出具备厘革性影响技能原型，对于经济社会成长孕育发生庞大影响的前瞻性、原创性的基础研究及前沿交织研究。

来历：瑞波光电

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