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    最近几年来，碳化硅（SiC）作为第三代半导体质料，因其精彩的物理及化学性子，广泛运用在低功耗、小型化、高压、高频的电子器件中。然而，SiC因其莫氏硬度高达9.5，使患上其加工历程成为一项技能难题。传统的切割工艺存于质料损耗及加工时间长等问题，制约了SiC的高效加工及广泛运用。

于SiC衬底的传统加工流程中，重要利用多线切割工艺。这一工艺于6英寸及8英寸的SiC晶锭切割历程中，单片质料的丧失高达280～300 m。以6英寸SiC晶锭为例，切割时间长达130小时，8英寸SiC晶锭的切割时间更是到达180小时，这致使每一颗SiC晶锭的质料丧失率靠近46%。这一高质料损耗率不仅增长了出产成本，还有严峻影响了出产效率。

为相识决传统切割工艺中存于的问题，深圳平湖试验室新技能研究部乐成开发了SiC衬底的激光剥离技能。与多线切割工艺比拟，激光剥离工艺具备显著的上风，尤其是于质料损耗及出产效率方面。

于利用激光剥离技能时，6英寸及8英寸SiC衬底的单片质料损耗可以节制于120 m之内，较着低在传统切割工艺的280～300 m，出片率提高了40%。此外，激光剥离技能还有使患上单片成本降低了约22%。这一技能的实行不仅年夜幅降低了出产成本，还有提高了出产效率，有助在加快8英寸SiC衬底的财产化进程。

深圳平湖试验室的这一技能冲破为SiC衬底财产带来了轻资产、高效益的新模式。激光剥离技能的运用，不仅晋升了SiC衬底的加工效率及降低了成本，还有为其他硬质质料的加工提供了新的思绪及要领。这一技能的推广有望加快SiC财产化的进程，并鞭策质料科学、激光技能等相干范畴的前进与成长。

来历：深圳平湖试验室

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