深圳市bg真人电子数控设备有限公司

    碳化硅（SiC）芯片今朝已经于新能源汽车、雷达基站、5G通信、智能电网等浩繁前沿范畴揭示出极其广漠的运用远景，成为鞭策这些行业迈向更高条理、实现转型进级的焦点驱动力。然而，SiC质料高硬度特征给传统多线切割的衬底加工方式带来了史无前例的巨年夜挑战，质料消耗严峻、加工效率低下、加工成本昂扬等痛点成为制约行业成长的要害瓶颈。跟着晶圆尺寸从6inch慢慢向12inch拓展，传统线切割应答更年夜尺寸晶圆时，所面对的困境愈发严重。于此行业配景下，SiC晶锭激光剥片技能应运而生，依附其质料消耗小、出片率高、效率高档巨年夜上风，逐渐成为年夜尺寸SiC晶锭切割范畴的主流技能。

然而，激光剥片技能要于工艺品质上到达卓着水准的同时，还有要实现出产效率的高效运行，绝非易事。于2025年5月15日举办的里手说（第5届）车规级8英寸SiC量产技能和汽车 数字能源运用年夜会上，富家半导体产物线总司理巫礼杰师长教师尤其指出，该技能的焦点方针是为客户年夜幅降低制造成本，而要告竣这一方针，需重点把控如下几个焦点要点：出片率（高），加工效率（高），主动化程度（高），加工良率（高），出产耗材（低）。富家半导体依附强盛的研发实力与立异精力，于激光剥片QCB（Qian Ceng Bing）技能基础上，取患了技能结果的进一步冲破：于切割损耗方面，实现8inch 350 m导电型衬底片切割，单片总损耗 70-80 m，单耗 450-470 m(单耗=前次晶锭厚度-剥离1片晶圆后晶锭厚度)，即20妹妹晶棒，出片数目晋升到42-44 pcs；于加工效率方面，实现8inch 350 m导电型衬底片切割，单片功课时间缩短到15min/pcs之内；于加工耗材方面，剥离面平整，粗拙度好，TTV小，对于磨轮毁伤降低，划一前提下，磨耗比行业平均程度降低40%，降低砂轮消耗；以上技能冲破为实现更低损耗、高效率、智能化、主动化晶锭剥片提供保障，进一步全方位降低SiC晶锭切割制造成本。

装备推介

富家半导体SiC晶锭激光剥片产线主动扮装备采用了进步前辈的模块化设计理念，这一设计可以或许矫捷应答8inch、12inch激光剥片的需求，实现了晶锭激光剥片产线主动化出产。

SiC晶锭激光剥片产线主动扮装备

01产线设备：精准结构，高效协同

产线设备颠末精心设计与重复优化，各环节慎密跟尾，构建起高效、不变的出产流程。从原质料的上料到制品的下料，每个步调都颠末切确管控，严酷确保了产物质量的一致性和不变性，为年夜范围出产奠基了基础。

02工艺制程：邃密把控，品质卓着

于工艺制程方面，富家半导体拥有怪异的工艺技能及富厚的实践经验。经由过程怪异工艺技能的切确节制与智能化历程检测与节制，有用保障了激光剥片功课的高质高效。

03技能上风：四年夜亮点，引领行业

切割低损耗

8inch单片总损耗 70-80 m，单耗450-470 m(单耗=前次晶锭厚度-剥离1片晶圆后晶锭厚度)。

加工高效率

8inch单片功课时间缩短到15min/pcs之内。

更低耗材磨损

剥离面平整，粗拙度小，砂轮磨耗低。

产线矫捷匹配

矫捷装备匹配，产能使用最年夜化，装备数目最优资产投资，装备占地矫捷部署。

富家半导体依附于激光设备技能范畴的领先职位地方及立异实力，始终秉持高精度、低毁伤、高效率、技能立异及成本效益的成长理念，不停推出具备竞争力的产物及解决方案。将来，富家半导体将百折不挠地走于技能立异及产物研发的最前沿，慎密存眷半导体行业的成长趋向及客户需求，连续引领半导体行业连续立异与成长！

来历：富家半导体

注：文章版权归原作者所有，本文内容、图片、视频来自收集，仅供交流进修之用，如触及版权等问题，请您奉告，咱们将和时处置惩罚。

-BG大游